Международные конференции "Микро- и наноэлектроника - 2009" (МНЭ-2009) с дополнительной сессией "Квантовая информатика" состоятся в подмосковном пансионате “Липки”, г. Звенигород, с 5 по 9 октября 2009 г.    Эта конференция продолжит ряд регулярных конференций Всероссийские “МНЭ-1999”, “МНЭ-2001”, "КИ-2002", и Международные (конференции SPIE) “ICMNE-2003”, "QI-2004”, “ICMNE-2005”, "QI-2005”, “ICMNE-2007”, "QI-2007”.
Общая информация      Важные даты      Комитеты      Научная программа      Регистрация (Закрыта)      Место проведения      Тематика докладов      Информационное сообщение      Выставка      Скачать      Контактная информация      Информация о ICMNE-2007      Информация о ICMNE-2005      Информация о ICMNE-2003   Подробнее>>> Подписка Особая благодарность	Комитеты Международный комитет Председатель: E.Велихов, Российский научный центр «Курчатовский институт», Москва Зам. предедателя: K.Валиев, Физико-технологический институт РАН, Москва Члены комитета: A. Aсеев, Институт физики полупроводников СО РАН (ИФП), Новосибирск, Россия D. Averin, Stony Brook University, USA M. Baklanov, IMEC, Belgium. V. Benine, ASML, Netherlands F. Briones, Instituto de Microelectro’nica de Madrid, Centro Nacional de Microelectro’nica-CSIC, Spain R. Chabicovsky, Technical University, Vienna, Austria Ю. Гуляев. Институт радиоэлектроники РАН (ИРЭ), Москва, Россия H.-L. Hwang, National Tsing Hua University,Taiwan Ф.Кузнецов, Институт неорганической химиии СО РАН (ИНХ), Новосибирск, Россия В. Лабунов, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия K. Lal. National Physical Lab., India. K. Likharev. Stony Brook University, Stony Brook , NY, USA В. Литовченко, Институт физики полупроводников Национальной Украинской академии наук, Киев, Украина J. Nishizawa, Semiconductor Research Institute, Japan K. Novoselov. University of Manchester, Manchester , UK Yu. Pozhela, Institute of Semiconductor Physics, Vilnyus, Lithuania I.Rangelow, University of Ilmenau, Germany C.N.R. Rao, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, India H. Ryssel, Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Devices Technology, Erlangen, Germany A. Schlachetzki, Technical University, Braunschweig, Germany Th. Skotnicki. ST Microelectronics, Crolles , France Р. Сурис, Физико-технический институт им. Иоффе, С.- Петербург D. Toma. Tokyo Electron Corp., U.S. Technology Development Center, USA A. Toriumi. University of Tokyo , Japan Программный комитет Председатель: K.Валиев, Физико-технологический институт, Российская академия наук, Москва. Зам.председателя: A.Oрликовский, ФТИАН, Москва Зам.председателя: И.Неизвестный, Институт физики полупроводников РАН, Новосибирск Члены комитета: A. Aлександров, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Россия В. Аристов, Институт проблем твердотельной микроэлектроники РАН (ИМПТ), Черноголовка, Россия А. Бердников, Ярославский филиал ФТИАН, Ярославль, Russia В. Бетелин, НИИСИ РАН, Москва, Россия Б.Грибов, Государственный научный институт сверхчистых материалов, Зеленоград, Россия Ф. Комаров, Белорусский Государственный Университет, Минск, Беларусь П. Копьев, Физико-технический институт им. Иоффе, С.-Петербург Ю. Копаев, Физический институт РАН им. П.Н. Лебедева (ФИАН), Москва, Россия Г. Красников, ОАО «НИИМЭ и МИКРОН», Зеленоград, Москва В. Лукичев. ФТИАН, Москва, Россия Ю. Ожигов, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Россия В. Панченко, Институт лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия Н. Салащенко, Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия К. Салихов, Казанский физико-технический институт КНЦ РАН, Казань, Россия А. Сигов, Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (ТУ) (МИРЭА), Россия А. Сухопаров, ОАО «Ангстрем»,Зеленоград, Россия П. Тодуа. Московский физико-технический институт, Москва, Россия Ю. Чаплыгин, Московский институт электронной техники (ТУ), Зеленоград, Россия Организационный комитет Председатель: A.Oрликовский, Физико-технологический институт РАН, Москва Зам.председателя: Лукичев В.Ф., Физико-технологический институт РАН, Москва И. Абрамов, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Ю. Богданов, ФТИАН, Москва, Россия В.Борисенко, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь A.Бухараев, Казанский физико-технический институт КНЦ РАН, Kaзань, Россия А. Бердников, Ярославский филиал ФТИАН, Ярославль, Russia А. Васильев, ФГУП «Пульсар», Москва, Россия A.Горбацевич, Московский институт электронной техники (ТУ), Зеленоград, Россия В.Гранько, «Интеграл», Минск, Беларусь B.Гурович, Российский научный центр «Курчатовский институт», Москва, Россия M.Королев, Московский институт электронной техники (ТУ), Зеленоград, Россия С.Никитов, ИРЭ РАН, Москва, Россия O.Пчеляков, ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия А.Рудый, Ярославский государственный университет им. П.Г.Демидова, Ярославль В.Рубаев, директор компании НИКС, Россия K.Руденко, ФТИАН, Москва, Россия – Ученый секретарь ICMNE-2009 M.Чуев, ФТИАН, Москва, Россия Локальный Оргкомитет проф. Лукичев Владимир Федорович – Со-председатель Оргкомитета ICMNE-2009 проф. Ожигов Юрий Игоревич– Председатель сессий QI-2009 проф. Богданов Юрий Иванович д.ф.-м.н. Руденко Константин Васильевич – Ученый секретарь ICMNE-2009 Скалкин Сергей Иванович – Финансовый директор ICMNE-2009 К.ф.-м.н. Вьюрков Владимир Владимирович к.ф.-м.н.Семенихин Игорь Александрович Лукьянова Ирина Юрьевна Мяконьких Андрей Валерьевич Тарасов Станислав Михайлович Сосина Валерия Петровна 117218, Россия, Москва, Физико-технологический институт РАН (ФТИАН), Нахимовский пр-т, 34 (36 корп.1) Тел: +7(495)129-54-92; +7(495) 129-56-08 Факс: +7 (495) 125-38-26